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IRFB38N20DPBF現貨參數應用及PDF資料下載

作者:海飛樂技術 時間:2020-12-23 16:26

  場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而雙極結型晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。

IRFB38N20DPBF特性及應用
  IRFB38N20DPBF是38A 200V場效應管,封裝為TO-220。產品具有低柵漏電荷可降低開關損耗,充分表征電容有效COSS簡化設計及完全表征雪崩電壓和電流。主要應用于高頻DC-DC變換器,等離子顯示屏等領域。
 
IRFB38N20DPBF基本參數
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
安裝風格:Through Hole
封裝/箱體:TO-220-3
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續漏極電流:44 A
Rds On-漏源導通電阻:54 mOhms
Vgs -柵極-源極電壓:-±30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
Qg-柵極電荷:91 nC
工作溫度范圍:- 55℃~175℃
Pd-功率耗散:3.8 W
尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
正向跨導-最小值:17 S
下降時間:47 ns
上升時間:95 ns
工廠包裝數量:1000
典型關閉延遲時間:29 ns
典型接通延遲時間:16 ns
單位重量:6 g
 
IRFB38N20DPBF其他參數

IRFB38N20DPBF其他參數 
 
IRFB38N20DPBF特性曲線圖
IRFB38N20DPBF特性曲線圖 
 
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