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IRF4905PBF現貨參數應用及PDF資料下載

作者:海飛樂技術 時間:2020-12-31 10:45

IRF4905PBF應用
  英飛凌IR第五代HEXFET®功率MOSFET采用先進的工藝制造技術,并以堅固耐用著稱的HEXFET設計,具有極低的導通電阻和快速的開關轉換速率,使得IRF1404PBF成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。
  TO-220封裝是所有商業工業應用的普遍首選,功耗水平約為50W。低熱阻和低封裝成本的TO-220有助于其在全世界的廣泛接受工業。
 
IRF4905PBF特性
先進工藝技術
超低導通電阻
動態dv/dt額定值
175℃工作溫度
快速開關
P溝道MOSFET
無鉛
完全雪崩額定值
 
IRF4905PBF基本參數
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
RoHS: 符合
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝/箱體:TO-220-3
晶體管極性:P-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:55 V
Id-連續漏極電流:70 A
Rds On-漏源導通電阻:20 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:-±20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:180 nC
工作溫度范圍:- 55℃~150℃
Pd-功率耗散:170 W
高度:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
單位重量:6 g
 
IRF4905PBF電力特性

IRF4905PBF電力特性 
 
IRF4905PBF特性曲線圖
IRF4905PBF特性曲線圖 
 
 
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IRF4905PBF  PDF資料下載




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