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IRFB31N20DPBF現貨參數應用及PDF資料下載

作者:海飛樂技術 時間:2021-01-14 17:09

  IRFB31N20DPBF場效應管,200V/31A,導通電阻0.082Ω,TO-220封裝。低開關損耗,快速的開關轉換速率。應用于高頻DC-DC轉換器。
 
IRFB31N20DPBF應用
高頻DC-DC轉換器
無鉛
 
IRFB31N20DPBF特性
低柵、漏極,減少開關損耗
充分表征電容,包括有效COSS簡化設計
完全表征雪崩電壓和電流
 
IRFB31N20DPBF基本參數
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
安裝風格:Through Hole
封裝/箱體:TO-220-3
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續漏極電流:31 A
Rds On-漏源導通電阻:82 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.5 V
Qg-柵極電荷:70 nC
工作溫度范圍:- 55℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:200 W
尺寸大小:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
正向跨導-最小值:17s
下降時間:10 ns
上升時間:38 ns
典型關閉延遲時間:26 ns
典型接通延遲時間:16 ns
單位重量:6 g
 
IRFB31N20DPBF其他參數

IRFB31N20DPBF其他參數 
 
IRFB31N20DPBF特性曲線圖
IRFB31N20DPBF特性曲線圖 
 
 
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